CLBO晶体(CsLiB6O10)是顶尖的深紫外非线性光学材料,透光范围低至175nm。其核心优势在于高效产生高功率、高光束质量的深紫外激光,特别是Nd:YAG激光的五倍频(213nm)和四倍频(266nm)输出。CLBO具备高非线性系数(≈KDP的2.2倍)、宽角度与温度带宽、极小离散角,且无双光子吸收饱和效应,功率承载能力强(LDT达29GW/cm²@1064nm)。虽然其强吸湿性需严格烘烤(~150°C)与湿度控制,但凭借卓越性能,CLBO已成为半导体光刻(193nm/266nm光源)、精密微纳加工、生物医学及深紫外探测等尖端领域不可或缺的核心元件。
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CLBO晶体(CsLiB6O10)是一种非常优秀的,能产生多种倍频波长的非线性晶体材料,具有很好的非线性光学特性,透光范围175-2750nm,非线系数deff=0.95pm/V是KDP晶体的2.2倍。非常适合在紫外范围内产生谐波(例如193nm和266nm),透射截止范围达到180nm。与普通BBO非线性光学材料相比,CLBO晶体具有更大的光谱和温度带宽、更好的角度公差和更小的离散角。CLBO是倍频(SHG)的不错选择,倍频激光性能稳定,光束质量好,适用于大功率Nd:YAG激光系统的四倍频(FHG)。由于没有通常在BBO晶体和KDP晶体中观察到的双光子吸收的缺失,CLBO对于高功率产生没有饱和。主要应用于半导体检测,显微光刻技术,生物医学,紫外雷达等领域。
主要特点
短波可至180nm;
对Nd:YAG激光器的四倍频、五倍频转换效率大;
高非线性系数(约为KDP的两倍);
接收角度大,离散角小;
可通过相位匹配获得193nm的真空紫外光输出;
生长周期短,可生长大尺寸晶体。
典型应用
倍频产生266nm激光
微纳加工
半导体光刻,半导体器件检测
生物医学
深紫外雷达
技术参数
孔径 | 最大 15*15 mm² |
长度 | 最大 20 mm |
平整度 | λ/8 @633nm |
垂直度 | 最小 <10 arc min |
排比 | 20 弧秒arc sec |
划痕/挖掘 | 最高 5/1 |
波前畸变 | λ/8 @633nm |
AR 涂层 | 无涂层 |
吸收系数 | 150 ppm/cm @1064nm |
激光诱导损伤阈值 | 29 GWcm² @1064nm* 6.4GWcm² @266nm* |
典型指标
切割角度:f=45度,q=61.7度;尺寸:5x5x10mm,两个表面:光学抛光;
注:切割角度和尺寸可定制,日本oxide不提供带AR镀膜的CLBO晶体。
CLBO晶体性质和Sellmeier方程
波长(nm) | 晶体 | 相位匹配角(deg) | 有效非线性系数(pm/V) | 角度公差(mrad – cm) | 离散角(deg) |
1064+532=355 | CLBO | 48.9 | 0.71 | 0.92 | 2.11 |
BBO | 34.6 | 2.01 | 0.24 | 4.47 | |
532+532=266 | CLBO | 62.0 | 0.79 | 0.55 | 1.84 |
BBO | 47.7 | 1.75 | 0.19 | 4.89 | |
1064+266=213 | CLBO | 68.3 | 0.95 | 0.48 | 1.66 |
BBO | 51.1 | 1.95 | 0.13 | 5.51 |
注:PMT = 150℃ @CLBO, 27℃ @BBO
CLBO晶体存储和处理
CLBO具有很高的吸湿性。因此,强烈建议严格控制操作环境的湿度,防止CLBO晶体与水反应降解。通过将操作温度升高至约150摄氏度,可以有效避免该问题。为了适应CLBO晶体的吸湿性,晶体在是真空包装的。建议CLBO晶体包装在使用前在干燥器中保持不开封。一旦打开,请将CLBO晶体存储在单独的烤箱或类似的环境中。
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