半导体可饱和吸收镜(SESAM)

半导体可饱和吸收镜（SESAM）的基本结构就是把反射镜与半导体可饱和吸收体结合在一起。底层一般为半导体反射镜，其上生长一层半导体可饱和吸收体薄膜，最上层可能生长一层反射镜或直接利用半导体与空气的界面作为反射镜，这样上下两个反射镜就形成了一个法布里-珀罗腔，通过改变吸收体的厚度以及两反射镜的反射率，可以调节吸收体的调制深度和反射镜的带宽。

一般来说半导体的吸收有两个特征弛豫时间，带内热平衡 (intraband thermalization) 弛豫时间和带间跃迁 (interband transition) 弛豫时间。带内热平衡弛豫时间很短，在100-200fs左右，而带间跃迁弛豫时间则相对较长，从几ps到几百ps。带内热平衡弛豫时间基本上无法控制，而带间跃迁弛豫时间主要取决于半导体生长时衬底的温度，生长时的温度越低，带间跃迁弛豫时间越短。在SESAM锁模过程中，响应时间较长的带间跃迁 (如载流子重组) 提供了锁模的自启动机制，而响应时间很短的带内热平衡可以有效压缩脉宽、维持锁模。

STB系列可饱和吸收镜（SAM）

可饱和吸收镜是生长在含一个或多个低温GaAs（LT-GaAs）或LT-InGaAs薄膜作为可饱和吸收材料的GaAs晶片上的具有AlAs/GaAs四分之一波长叠层的Bragg布拉格反射镜。

我们研制的载流子弛豫时间在皮秒范围内的可饱和吸收镜可用于二极管泵浦激光器的被动锁模和调Q。薄膜叠层的设计可以进行调整，以满足皮秒和飞秒区不同被动锁模激光器的要求。

STB-SAM订单信息：零件号：STB-SAM-λ-A-τ-x

• λ激光波长

• A 低强度吸收

• τ吸收器松弛时间

• x 安装条件（请参见安装条件）

产品范围：

1. 波长范围790-830纳米：800纳米

2. 波长范围910-990纳米：920纳米| 940纳米| 980纳米

3. 波长范围1020-1150纳米：1040纳米| 1064纳米| 1100纳米

4. 波长范围1110-1320纳米：1150纳米| 1300纳米

5. 波长范围132-1460纳米：1340纳米| 1420纳米

6. 波长范围1470-1660纳米：1510纳米| 1550纳米| 1645纳米

7. 波长范围1900-2600纳米：2000纳米| 2400纳米

8. 波长范围2700-3200纳米：2800纳米| 3000纳米

STB系列谐振饱和吸收镜

谐振饱和吸收镜（Resonant Saturable Absorber Mirror, RSAM）被设计用来重塑光信号。在光纤、通信节点和其他光学设备中传播的光信号会受到光损耗的影响，并且会被修改。在每一个放大阶段，利用受激发射过程，由于不可避免的自发辐射，信噪比降低。包括在光放大器之后的RSAM降低了噪声背景，并且允许光脉冲不受非线性光学行为影响地通过。

零件号说明：STB-RSAM-λ-τ-x

• Λ 激光波长

• τ 吸收体弛豫时间

• x 安装条件

STB系列可饱和输出耦合器（SOC）

利用可饱和输出耦合器（Saturable Output  Coupler, SOC），可以设计出自启动、被动锁模或调Q二极管泵浦的固态或光纤激光器。SOC是一个可饱和吸收镜（SAM）和一个输出耦合器的组合。

SOC订单信息：零件号：STB-SOC-λ-A-τ-x

• λ 激光波长

• A 低强度吸收

• T 低强度透射率

• τ吸收体弛豫时间

• x 安装条件

饱和噪声抑制器SANOS

谐振可饱和吸收镜（Resonant Saturable  Absorber Mirror, RSAM）被设计用来重塑光信号。在光纤、通信节点和其他光学设备中传播的光信号会受到光损耗的影响，并且会被修改。在每一个放大阶段，利用受激发射过程，由于不可避免的自发辐射，信噪比降低。包括在光放大器之后的RSAM降低了噪声背景，并且允许光脉冲不受非线性光学行为影响地通过。

1.自由空间饱和噪声抑制器

对于1064nm波长，我们提供了一个自由空间饱和噪声抑制器：STB-FS-SANOS。它由一个RSAM和一个100%反射镜组成，允许在不改变光束方向的情况下插入激光束。

自由空间SANOS订单信息：零件号：STB-FS-SANOS-λ-τ-x

• λ激光波长

• τ吸收体弛豫时间

• x 吸收器级数（1或2）

饱和噪声抑制器SANOS应用:

• 光放大器后的噪声抑制（放大自发辐射）

• 脉冲选择器后剩余脉冲的抑制

1.1自由空间饱和噪声抑制器, 一级STB-FS-SANOS-1064-15ps-1

STB-FS-SANOS由谐振饱和吸收镜（RSAM）和传统的100%反射镜组成。光束在STB-FS-SANOS上实现，方向不变，但平行偏移为2 mm。RSAM具有很强的非线性反射特性。对于低输入信号电平，STB-FS-SANOS的透射率仅为2%（98%损耗），而高强度脉冲的传输损耗较低，为50%。输入隔离度优于50db。为了精确地满足低强度反射率的最小值，可以在一定程度上改变输入光束的倾角。

FS-SANOS主要数据：

• 共振波长：1064 nm（根据要求可以是1050 nm–1064 nm）

• 半最大半高宽时的全宽FWHM：20 nm

• 噪声抑制比：14dB

• 插入损耗：3 dB

• 饱和光强：4μJ/cm2@噪音抑制10 dB

• 弛豫时间常数：15ps

• 平行光束偏移：2 mm

• 镜子：一个RSAM和一个R>99%的介质镜，尺寸：4 mm x 4 mm

• 反射镜入射角：8°

1.2两级STB-FS-SANOS-1064-9ps-2

STB-FS-SANOS-2由两个谐振式可饱和吸收镜（RSAM）组成。光束在自由空间SANOS上实现，方向不变，但平行偏移为2 mm。RSAM具有很强的非线性反射特性。对于低输入信号电平，STB-FS-SANOS-2的透射率低于0.1%（99.9%损耗），而高强度脉冲的透射率低于75%。输入隔离度优于50db。为了精确地满足低强度反射率的最小值，可以在一定程度上改变输入光束的倾角。

FS-SANOS主要数据

• 共振波长：1064nm

• 半最大半高宽时的全宽FWHM：17nm

• 噪声抑制比：>20dB

• 插入损耗：6dB

• 饱和光强：10μJ/cm2@噪音抑制20dB

• 弛豫时间常数：15ps

• 平行光束偏移：2 mm

• 镜子：两个RSAM，尺寸：4 mm x 4 mm

• 反射镜入射角：8°

2.光纤耦合饱和噪声抑制器

对于1550nm波长，我们提供了一种光纤耦合可饱和噪声抑制器：FC-SANOS。它由三端口环行器的第二个端口上的RSAM组成，允许简单地插入光纤。

光纤耦合SANOS订单信息：零件号：STB-FC-SANOS-λ-x

• λ激光波长

• x 光纤和连接器类型

SANOS是一种谐振式可饱和吸收镜（RSAM），安装在环行器上。RSAM有一个强非线性反射。对于低输入信号电平，STB-FC-SANOS的透射率仅为

3%（97%损耗），而高强度脉冲的传输损耗较低，为50%。需要的饱和时的峰值脉冲功率约为500mw。因为RSAM是一个共振设备，噪声仅在共振波长处被抑制。常见的光纤连接器类型是FC/PC，但是可定制。输入隔离度优于50db。

• 零件号：STB-FC-SANOS-15XX

• 共振波长：1530nm，1535nm，…，1555nm，1560nm，步长5nm

• 半最大半高宽时的全宽FWHM：16 nm

• 低透光率：3%

• 高透光率：45%

• 噪声抑制系数：6…18（取决于输入信噪比）

• 插入损耗：3 dB

• 脉冲光强：F=100μJ/cm2

• 弛豫时间常数：~5 ps

• 最大平均输入功率：0.5 W

• 方向性：50 dB

• 光纤连接器类型：FC/PC，根据要求提供其他

透射式饱和吸收体（SA）

无布拉格反射镜的可饱和吸收体可用于激光器的自启动、被动锁模，但工作在透射模式。例如，它可以插入光纤环形激光器。SA的饱和通量明显高于SAM。

SA订单信息：零件号：SA-λ-A-τ-x

• λ激光波长

• A 低强度吸收

• τ吸收体弛豫时间

• x 安装条件

1.零件号：STB-SA-1020-40-x，波长1020 nm

• 激光波长：980-1040 nm

• 吸收率：40%

• 调制深度：25%

• 不饱和损耗：15%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 脉冲损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~500 fs

• 芯片面积：5mm x 5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

2.零件号：STB-SA-1030-34-3ps-x波长1030nm

• 激光波长：1000 nm…1040 nm

• 吸收率：34%

• 调制深度：20%

• 非饱和损耗：14%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 脉冲损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~3ps

• 芯片面积：5mm x 5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：450μm；半绝缘砷化镓

3.零件号：STB-SA-1064-14-28ps-x，波长1064nm

• 激光波长：1000 nm…1100 nm

• 吸收率：14%

• 透光率：85%

• 调制深度：3.4%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：200mW/cm2

• 弛豫时间常数：~28 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

4.零件号STB-SA-1064-25-500fs-x，波长1064 nm

• 激光器波长:1050  nm …1090nm

• 吸收率：25%

• 调制深度：13%

• 非饱和损耗：12%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~500 fs

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μ米；半绝缘砷化镓

5.零件号STB-SA-1064-26-37ps-x，波长1064 nm

• 激光波长：1000 nm…1100 nm

• 吸收率：26%

• 透光率：73%

• 调制深度：4.9%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~37 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

6.零件号STB-SA-1064-40-500fs-x，波长1064nm

• 激光波长：1030 nm…1090 nm

• 吸收率：40%

• 调制深度：25%

• 不饱和损耗：15%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~500 fs

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

7.零件号STB-SA-1340-22-20ps-x，波长1340  nm

• 激光波长：1340nm

• 吸收率：22%

• 调制深度：14%

• 不饱和损耗：8%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~20 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

8.产品清单，λ=1550nm，625µm自由空间应用的基片厚度

（1） 零件号STB-SA-1550-6-20ps-x，波长1550nm

• 激光波长：1550nm

• 吸收率：6%

• 调制深度：4%

• 不饱和损耗：2%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~20 ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

（2） 零件号SA-1550-35-2ps-x，波长1550 nm

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：35%

• 调制深度：21%

• 非饱和损耗：14%

• 饱和光强：300μm

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

（3） 零件号STB-SA-1550-46-2ps-x，波长1550 nm

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：46%

• 调制深度：28%

• 不饱和损耗：18%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm；半绝缘砷化镓

9. 1550nm、150µm基片厚度光纤对接耦合的可饱和吸收体

（1） 零件号STB-SA-1550-25-2ps-x，波长1550 nm

• 激光波长：1500 nm…1600 nm

• 吸收率：25%

• 调制深度：15%

• 不饱和损耗：10%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：100μm；半绝缘砷化镓

（2）  零件号STB-SA-1550-41-2ps-thin-x，波长1550 nm，光纤耦合用薄可饱和吸收体

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：41%

• 调制深度：25%

• 不饱和损耗：16%

• 光纤耦合插入损耗：≤ 1.6分贝

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：1.3mm×1.3mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：150μm；半绝缘砷化镓

（3）  零件号STB-SA-1550-58-2ps-thin-x，波长1550 nm，光纤耦合用薄可饱和吸收体

• 激光波长：1400 nm…1600 nm

• 吸收率：58%

• 调制深度：35%

• 非饱和损耗：23%

• 光纤耦合插入损耗：≤ 1.6分贝

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：1.5 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~2ps

• 芯片面积：1.3mm×1.3mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：150μ米；半绝缘砷化镓

• 10. 2000nm可饱和吸收体

（1） 零件号STB-SA-2000-1-x波长2000 nm

• 激光波长：1900 nm…2100 nm

• 吸收率：1%

• 调制深度：0.6%

• 不饱和损耗：0.4%

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：3mj/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μ米；半绝缘砷化镓

（2）零件号STB-SA-2000-25-10ps-x，波长2000 nm

• 激光波长：1800 nm…2200 nm

• 吸收率：25%@2000 nm

• 透光率：74%@2000 nm

• 反射率：1%@2000 nm

• 调制深度：15%@2000 nm

• 非饱和损耗：11%@2000 nm

• 饱和光强：2 mJ/cm2

• 损伤阈值：4mj/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：180μ米；半绝缘砷化镓

（3） 零件号STB-SA-2000-43-x，波长2000 nm

• 激光波长：1800 nm…2200 nm

• 吸收率：43%@2000 nm

• 透光率：56%@2000 nm

• 反射率：0.2%@2000 nm

• 调制深度：23%@2000 nm

• 非饱和损耗：20%@2000 nm

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5.0 mm x 5.0 mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm或150μm配光纤对接耦合；半绝缘砷化镓

11.零件号STB-SA-2800-10-10ps-x，波长2800 nm

• 激光波长：2500 nm…3000 nm

• 吸收率：10%@2.8μ米

• 透光率：90%@2.8μ米

• 反射率：0%@2.8μ米

• 调制深度：6%@2.8μ米

• 非饱和损耗：4%@2.8μ米

• 饱和光强：300μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：~10ps

• 芯片面积：5mm×5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：625μm半绝缘砷化镓

透射式共振可饱和吸收体（RSA）

谐振型可饱和吸收体可用于环形激光器的被动锁模，但它是一种谐振装置，具有以下特殊特性：

• 低强度共振波长的零反射率

• 共振外所有波长的透射率为零

• 在共振波长处，透过率随脉冲光强的增加而增加

• 饱和光强明显低于SA，甚至低于典型SAM

利用上述特性，可以构造出一种无源锁模光纤环形激光器

• 固定在RSA共振波长的激光波长

• 低功率阈值启动连续波锁模

RSA订单信息：零件号：RSA-λ-A-T-τ-x

• λ激光波长

• A 低强度吸收

• T 低强度传输

• τ 吸收体弛豫时间

• x 安装条件

零件号STB-RSA-1057-53-45-6ps-x，波长1057 nm

• 共振波长：1056..1060 nm

• 吸收率：53%

• 透光率：45%

• 反射率：2%

• 调制深度：△T=27%，△R=15%，△A=43%

• 饱和光强：25μJ/cm2

• 损伤阈值：2 mJ/cm2

• 弛豫时间常数：6ps

• 芯片面积：5mm×5mm；按要求提供其他尺寸

• 芯片厚度：450μm；半绝缘砷化镓

• 正面保护：介质涂层

• 背面镀膜：SA背面抛光，镀膜增透1060nm

安装条件x表示安装类型，如下所示：

• x=5.0-0未安装芯片5.0 mm x 5.0 mm

• x=5.0-12.7 g粘在直径为12.7 mm、孔为4 mm的铜散热器上

• x=5.0-25.0 g粘在直径为25.4 mm、孔为4 mm的铜散热器上

• x=5.0-25.4 g粘在直径为25.4 mm、孔为4 mm的铜散热器上

安装条件

x=4.0-0

• 单芯片，未安装

• 芯片面积4.0  mm x 4.0 mm

• 芯片厚度450µm

x=1.0b-0

• 一批4个未安装的芯片

• 芯片面积1.0  mm x 1.0 mm

• 芯片厚度450µm

x=1.3b-0

• 一批4个未安装的芯片

• 芯片面积1.3  mm x 1.3 mm

• 芯片厚度450µm

x=4.0-12.7g-c/4.0-12.7g-e

• 芯片面积4.0  mm x 4.0 mm

• 粘在直径为12.7  mm的铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-12.7g-c

• 边缘安装：x=4.0-12.7g-e

x=4.0-12.7s-c/4.0-12.7s-e

• 芯片面积4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直径为12.7 mm的铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-12.7s-c

• 边缘安装：x=4.0-12.7s-e

x=4.0-25.0g-c/4.0-25.0g-e

• 芯片面积4.0  mm x 4.0 mm

• 粘在直径为25.0  mm的铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-25.0g-c

• 边缘安装：x=4.0-25.0g-e

x=4.0-25.0s-c/4.0-25.0s-e

• 芯片面积4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直径为25.0 mm的铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-25.0s-c

• 边缘安装：x=4.0-25.0s-e

x=4.0-25.4g-c/4.0-25.4g-e

• 芯片面积4.0  mm x 4.0 mm

• 粘在直径为25.4  mm的铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-25.4g-c

• 边缘安装：x=4.0-25.4g-e

x=4.0-25.4s-c/4.0-25.4s-e

• 芯片面积4.0 mm x 4.0 mm

• 焊接在直径为25.4 mm的铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-25.4s-c

• 边缘安装：x=4.0-25.4s-e

x=4.0-25.0w-c/4.0-25.0w-e

• 芯片面积4.0  mm x 4.0 mm

• 焊接在直径为25.0  mm的水冷铜散热器上

• 中心安装：x=4.0-25.0w-c

• 边缘安装：x=4.0-25.0w-e

x=4.0-25.0h-c/4.0-25.0h-e

• 芯片面积4.0  mm x 4.0 mm

• 焊接在水冷铜散热器上的薄膜，直径25.0 mm，用于高功率应用。

• 中心安装：x=4.0-25.0h-c

• 边缘安装：x=4.0-25.0h-e

x=FC/（A）PC-SMF

• 安装在1米长的单模光纤上。

• 可用光纤：780HP

• FC/PC连接器：x=FC/PC-SMF

• FC/APC连接器：x=FC/APC-SMF

x=FC/（A）PC-PMF

• 安装在1米长的保偏光纤上。

• 可用光纤：熊猫PM780-HP

• FC/PC连接器：x=FC/PC-PMF

• FC/APC连接器：x=FC/APC-PMF